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MKY-KDY-2 電阻率測試儀

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MKY-KDY-2 電阻率測試儀

MKY-KDY-2型兩探針電阻率測試儀是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)及美國材料與試驗協(xié)會(ASTM)推薦的材料驗收檢測方法“兩探針法"設(shè)計。它適合于測量模截面尺寸是可測量的,而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒,例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。由于兩探針法的測量電流是從長棒兩端進(jìn)出,遠(yuǎn)離電壓測量探針,因此電流流過金屬與半導(dǎo)體接觸處產(chǎn)生的許多副效應(yīng)(如珀爾帖效應(yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等),對測量的影響較小,因此兩探針法的測量精度一般優(yōu)于四探針法。特別是對多晶材料的測量,由于多晶晶粒間界處,雜質(zhì)局部偏析可能導(dǎo)致電阻率較大變化,這種影響對四探針法更為嚴(yán)重,故不推薦用四探針法測量多晶材料的電阻率。

本儀器除適合測量體形有規(guī)則的單晶棒外,也適合測量多晶棒。兩探針法測量水平區(qū)熔多晶鍺電阻率,在我國已有四十多年的實踐經(jīng)驗,對區(qū)熔鍺錠橫截面面積的變化已總結(jié)出一套計算方法,本儀器采用李賀成教授提出的計算公式編寫程序,可用微機(jī)HQ-710C處理區(qū)熔鍺錠的測量數(shù)據(jù),或采用KDY測量系統(tǒng)軟件測量數(shù)據(jù),并根據(jù)北京有色金屬研究總院余懷之教授的提議,擴(kuò)大了微處理機(jī)的數(shù)據(jù)處理范圍。

本儀器主要由電氣測量部份(簡稱:主機(jī))、測試臺及兩探針頭組成。儀器的特點是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測量電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全程的電流變化,免除了測量電流/測量電阻率的轉(zhuǎn)換,更及時掌控測量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān),在測量某些材料時,可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生,更好地保護(hù)被測材料。儀器配置了本公司的產(chǎn)品:“小游移探針頭",間距為10mm的兩探針頭探針游移率在0.02~0.05%。保證了儀器測量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)需配用HQ-710C數(shù)據(jù)處理器或KDY測量系統(tǒng)軟件,置入必須的數(shù)據(jù)后,處理器會配合探頭在鍺錠上移動測量,自動計算、打印出各點的電阻率。

主機(jī)技術(shù)參數(shù)

(1)測量范圍:

可測電阻率:鍺晶體0.1-100Ω·cm

可測鍺錠尺寸:大長度700mm;大高度50mm;大寬度60mm。

(2)恒流源:

輸出電流:DC 0.004-100mA  五檔連續(xù)可調(diào)

量程:0.004-0.01mA

0.04-0.10mA

0.4-1.0mA

4.0-10mA

40-100mA

恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.05%

(3)直流數(shù)字電壓表:

測量范圍:0-199.99mV

靈敏度:10μA

基本誤差:±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)

輸入阻抗:≥1000MΩ

(4)電阻測量誤差:≤0.3%

(5)兩探針頭:KDT-5

探針間距:10.00±0.02mm

游移率:0.02-0.05%

探針壓力:4±1N/單針

(6)供電電源:

AC   220V   ±10%   50/60Hz   功率:12W

(7)使用環(huán)境:

溫度:23±2℃   相對溫度:≤65%

無較強(qiáng)的電場干擾,無強(qiáng)光直接照射。

(8)重量、體積:

主機(jī)重量:7.5Kg

體積:390×340×190(單位:mm  長度×寬度×高度)


MKY-KDY-2 電阻率測試儀

MKY-KDY-2型兩探針電阻率測試儀是按照我國國家標(biāo)準(zhǔn)及美國材料與試驗協(xié)會(ASTM)推薦的材料驗收檢測方法“兩探針法"設(shè)計。它適合于測量模截面尺寸是可測量的,而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒,例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。由于兩探針法的測量電流是從長棒兩端進(jìn)出,遠(yuǎn)離電壓測量探針,因此電流流過金屬與半導(dǎo)體接觸處產(chǎn)生的許多副效應(yīng)(如珀爾帖效應(yīng)、塞貝克效應(yīng)、少子注入效應(yīng)等),對測量的影響較小,因此兩探針法的測量精度一般優(yōu)于四探針法。特別是對多晶材料的測量,由于多晶晶粒間界處,雜質(zhì)局部偏析可能導(dǎo)致電阻率較大變化,這種影響對四探針法更為嚴(yán)重,故不推薦用四探針法測量多晶材料的電阻率。

本儀器除適合測量體形有規(guī)則的單晶棒外,也適合測量多晶棒。兩探針法測量水平區(qū)熔多晶鍺電阻率,在我國已有四十多年的實踐經(jīng)驗,對區(qū)熔鍺錠橫截面面積的變化已總結(jié)出一套計算方法,本儀器采用李賀成教授提出的計算公式編寫程序,可用微機(jī)HQ-710C處理區(qū)熔鍺錠的測量數(shù)據(jù),或采用KDY測量系統(tǒng)軟件測量數(shù)據(jù),并根據(jù)北京有色金屬研究總院余懷之教授的提議,擴(kuò)大了微處理機(jī)的數(shù)據(jù)處理范圍。

本儀器主要由電氣測量部份(簡稱:主機(jī))、測試臺及兩探針頭組成。儀器的特點是主機(jī)配置雙數(shù)字表,在測量電阻率的同時,另一塊數(shù)字表(以萬分之幾的精度)適時監(jiān)測全程的電流變化,免除了測量電流/測量電阻率的轉(zhuǎn)換,更及時掌控測量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,使測量電流高度穩(wěn)定。本機(jī)配有恒流源開關(guān),在測量某些材料時,可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生,更好地保護(hù)被測材料。儀器配置了本公司的產(chǎn)品:“小游移探針頭",間距為10mm的兩探針頭探針游移率在0.02~0.05%。保證了儀器測量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機(jī)需配用HQ-710C數(shù)據(jù)處理器或KDY測量系統(tǒng)軟件,置入必須的數(shù)據(jù)后,處理器會配合探頭在鍺錠上移動測量,自動計算、打印出各點的電阻率。

主機(jī)技術(shù)參數(shù)

(1)測量范圍:

可測電阻率:鍺晶體0.1-100Ω·cm

可測鍺錠尺寸:大長度700mm;大高度50mm;大寬度60mm。

(2)恒流源:

輸出電流:DC 0.004-100mA  五檔連續(xù)可調(diào)

量程:0.004-0.01mA

0.04-0.10mA

0.4-1.0mA

4.0-10mA

40-100mA

恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.05%

(3)直流數(shù)字電壓表:

測量范圍:0-199.99mV

靈敏度:10μA

基本誤差:±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)

輸入阻抗:≥1000MΩ

(4)電阻測量誤差:≤0.3%

(5)兩探針頭:KDT-5

探針間距:10.00±0.02mm

游移率:0.02-0.05%

探針壓力:4±1N/單針

(6)供電電源:

AC   220V   ±10%   50/60Hz   功率:12W

(7)使用環(huán)境:

溫度:23±2℃   相對溫度:≤65%

無較強(qiáng)的電場干擾,無強(qiáng)光直接照射。

(8)重量、體積:

主機(jī)重量:7.5Kg

體積:390×340×190(單位:mm  長度×寬度×高度)

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